RTP快速退火爐簡介:
快速退火爐是利用鹵素紅外燈做為熱源,通過極快的升溫速率,將晶圓或者材料快速的加熱到300℃-1200℃,從而消除晶圓或者材料內部的一些缺陷,改善產品性能。
快速退火爐采用先進的微電腦控制系統,采用PID閉環控制溫度,可以達到極高的控溫精度和溫度均勻性,并且可配置真空腔體,也可根據用戶工藝需求配置多路氣體。
RTP快速退火爐行業背景:
快速退火爐是現代大規模集成電路生產工藝過程中的關鍵設備。隨著集成電路技術飛速發展,開展快速退火爐系統的創新研發對國內開發和研究具有自主知識產權的快速退火爐設備具有十分重大的戰略意義和應用價值。
目前快速退火爐的供應商主要集中在歐、美和臺灣地區,大陸地區還沒有可替代產品,市場都由進口設備主導,設備國產化亟待新的創新和突破。
隨著近兩年中美貿易戰的影響,國家越來越重視科技的創新發展與內需增長,政府出臺了很多相關的產業政策,對于國產快速退火爐設備在相關行業產線上的占比提出了一定要求,給國內的半導體設備廠商帶來了巨大機遇,預測未來幾年時間國內退火爐設備市場會有快速的內需增長需求。
RTP快速退火爐技術特點:
快速退火爐(芯片熱處理設備)廣泛應用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導體和功率器件等多種芯片產品的生產。和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應力和致密化等工藝當中,通過快速熱處理以改善晶體結構和光電性能,具有技術指標高、工藝復雜、專用性強的特點。
RTP快速退火爐一般參數:
名稱 | 數值 |
---|---|
最高溫度 | 1200攝氏度 |
升溫速率 | 150攝氏度/秒 |
降溫速率 | 200攝氏度/分鐘(1000攝氏度→300攝氏度) |
溫度精度 | ±0.5攝氏度 |
溫控均勻性 | ≤0.5%設定溫度 |
加熱方式 | 紅外鹵素燈,頂部加熱 |
真空度 | 10mTorr以下 |
RTP快速退火爐應用領域:
快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN);
離子注入/接觸退火;
金屬合金;
熱氧化處理;
化合物合金(砷化鎵、氮化物等);
多晶硅退火;
太陽能電池片退火;
高溫退火;
高溫擴散。
設備說明:
快速退火爐主要由真空腔室、加熱室、進氣系統、真空系統、溫度控制系統、氣冷系統、水冷系統等幾部分組成。
真空腔室:真空腔室是快速退火爐的工作空間,晶圓在這里進行快速熱處理。
加熱室:加熱室以多個紅外燈管為加熱元件,以耐高溫合金為框架、高純石英為主體。
進氣系統:真空腔室尾部有進氣孔,精確控制的進氣量用來滿足一些特殊工藝的氣體需求。
真空系統:在真空泵和真空腔室之間裝有高真空電磁閥,可以有效確保腔室真空度,同時避免氣體倒灌污染腔室內的被處理工件。
溫度控制系統:溫度控制系統由溫度傳感器、溫度控制器、電力調整器、可編程控制器、PC及各種傳感器等組成。
氣冷系統:真空腔室的冷卻是通過進氣系統向腔室內充入惰性氣體,來加速冷卻被熱處理的工件,滿足工藝使用要求。
水冷系統:水冷系統主要包括真空腔室、加熱室、各部位密封圈的冷卻用水。
RTP快速退火爐硬件更換:
1.加熱燈管更換:加熱燈管超過使用壽命或無法點亮時需進行更換。加熱燈管的使用壽命為3000小時,高溫狀態下會降低其使用壽命。
2.真空泵油更換:在使用過程中,請每季度固定觀察1次真空油表,當油表顯示油量低于1/3時請添加真空泵潤滑油到油表一半以上。
3.熱電偶更換:當熱電偶測溫不正?;蛘邠p壞時需進行更換。熱電偶的正常使用壽命為3個月,隨環境因素降低其壽命。
4.O型圈的更換:O型圈表面有明顯破損或者無法氣密時需進行更換,其壽命受外力以及溫度因素影響。
RTP快速退火爐保養周期:
項目 | 檢查周期 | 零件或耗材 |
---|---|---|
加熱燈管 | 周 | IR燈管 |
托盤表面擦拭 | 周 | 碳化硅材質 |
熱電偶固定狀態 | 周 | |
石英板清理 | 季度 | |
O型圈檢查更換 | 季度 | |
真空泵油 | 季度 | MR100 |
M導向軸承 | 季度 | 使用潤滑油 |